STF10N60DM2

功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh??

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):529pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220FP

标准包装:2,000

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